明年闪存产能将超越DRAM内存

　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，闪存产能将在2008年首次超过DRAM内存。

　　根据SMA报告，闪存产能从2000年以来已经增长了四倍，达到相当于290万片200毫米硅晶圆的规模。相比之下，DRAM产能自那时起仅增长225%。

　　报告表示，从2005年到2008年底的三年间，闪存制造商增加的产能是之前四年增加量的六倍。

　　预计2008年和2009年，将有另外超过十座晶圆厂上线。SMA预计，当设备装机完成时，将带来每月相当于150万片200毫米硅晶圆的产能。

　　SMA总裁George Burns表示，“Alliances和三星是推动闪存产能增长的主要动力，东芝与SanDisk合资公司Alliances最近大幅增加产能，超过三星、Hynix和IMFlash的合并产能增加量。”

　　据悉，东芝与SanDisk合资公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。Flash Alliance的Fab 4晶圆厂刚开始处理硅晶圆饼，当设备完全装配好，据称每月产能将达21万片300毫米晶圆。Burns注意到，“那将是全球最大的晶圆厂，产能几乎相当于50万片200毫米硅晶圆。”

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