Intel、Micron联合打造3D XPoint存储器

Micron Technology和 Intel 正在预热3D XPoint存储器，更低价格和持久存储将超越DRAM。

Micron和Intel已经预览了新型存储器技术，并称其速度千倍于NAND，耐久性千倍于DRAM，并提供十倍于目前应用于固态盘中的NAND闪存的存储密度。

被称为3D XPoint存储器的这项技术由Micron和Intel共同开发。两家已经开始生产128GB容量的闪存模具。样品预计将于2015年末面世，而基于3D XPoint的新品发布最快将于2016开始。

新技术提供几近DRAM的速度和持久存储。

价格方面，预计将介于NAND和DRAM之间。

3D XPoint memory采用了交叉点的架构模式。与使用晶体管不同，3D XPoint存储单元的读写都通过发送给每个选择器的电压变化发生。

“这意味着你可以进行更多的写操作而不用担心耐久性的问题，”Intel非易失性存储解决方案部门总经理兼高级副总裁Rob Crooke说道，“3D XPoint有十倍于NAND的密度并且它

是非易失的，可以作为永久存储。这对于很多人来说都是根本性的突破。”

“所有人都想要做到交叉点架构，因为这将给予存储单元最有效的耐久性并提供最高的密度。交叉点架构非常重要。”

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