Intel下一代内存技术 读写速度达闪存1000倍
2018-06-11 来源:
相变内存是一种非易失性内存,结合了DRAM内存的高速存取,以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性。因此,它被业界视为未来闪存和DRAM内存的替代品。同时,它可以在不删除现有数据的情况下写入数据,而且功耗只有现在闪存的一半,但是读写速度可以达到闪存的1000倍。
在电量消耗大的移动设备中,相变内存可为储存数据执行编码时提供高速的数据传输。同时,英特尔闪存部门的首席技术官Ed Doller在英特尔总部举行的会议上表示,理想地说,相变内存将满足人们对获得一种能够保存数据的DRAM的需求。
另外,Doller还表示,虽然相变内存比传统的闪存和DRAM内存都要昂贵,但他相信其价格很快就会降到一个较低的水平。而英特尔公司首先会把相变内存技术定位在移动手机市场,现在的手机都是通过NOR闪存来储存操作系统和用户数据的。
版权申明:本站文章部分自网络,如有侵权,请联系:west999com@outlook.com
特别注意:本站所有转载文章言论不代表本站观点!
本站所提供的图片等素材,版权归原作者所有,如需使用,请与原作者联系。
上一篇:网上银行 谁能保护我的帐户安全
下一篇:商务部下发网上交易指导意见