闪存接班人ReRAM实现重大技术突破

日本富士通（Fujitsu）公司近日表示，该公司成功研发出了全新的电阻型内存产品ReRAM，这种内存拥有超低的功耗，在读写时产品的电流仅仅为100微安，与之前的ReRAM内存相比，新的技术使该产品的波动电阻数值大幅下降了90%，这能够降低内存的读写时产品的损耗，延长了内存的使用寿命。

新款ReRAM内存具有极高的读取速度，完成1万次读写只需要5毫秒的时间，富士通公司表示，将会在未来的几年用这种新型ReRAM内存取代目前的Flash闪存，理由是成本更低，性能更强。

富士通ReRAM内存结构图

目前Flash闪存技术已经非常成熟，但是由于制造工艺上的限制，其性能潜力已经不大，ReRAM内存正是作为Flash闪存的接班人而出现的，ReRAM内存目前也得到了极大的发展，但是商用方面的发展速度还有些慢。

随着技术的进步，Flash闪存在性能和成本上的问题日益突出之后，ReRAM就会水到渠成的进行全面的普及，这种比Flash闪存功耗低得多，性能高得多的存储产品从明年下半年开始就将逐渐出现在消费电子产品中。

标签： 问题

版权申明：本站文章部分自网络，如有侵权，请联系：west999com@outlook.com
特别注意：本站所有转载文章言论不代表本站观点！
本站所提供的图片等素材，版权归原作者所有，如需使用，请与原作者联系。