探索闪存“芯”创新，迎接存储新未来

很荣幸有这个机会机会跟大家分享一下存储闪存行业的分析以及有关芯片的研发和成果，其中包括对芯片研发技术路线的一些思考和探索。

数据每天都在发生变化，但是他们更重要的是怎么样分析数据，从中获取价值，数据被收集、分析，这些数据都是要进行存储，分析的过程也就是需要使用很多的存储，因此存储需求会不断的增长，需求非常大，对闪存行业一个非常大的动力和契机。

传统的闪存工艺是我们叫做2D闪存，如今发展碰到阻碍，接近了工艺极限。在这样的背景情况下，3D NAND闪存应运而生。

什么是3D NAND闪存?

如果我们建造二维的停车场，我们的目标是停越多车越好，但是当面积越来越小的时候，每一辆车的空间都逐渐被压缩;相比3D NAND就是把二维停车场往三维方向走，这样给闪存的存储密度提供了一个全新的发展方向，不单单是我们有一个增长的空间，而且汽车占据的位置都比较宽松。

经常我们会被问到这样一个问题，说你们3D NAND闪存到底是多少纳米?这个问题其实是来源于大家对2D闪存一个传统的概念，15纳米～16纳米的时候，其实二维结构缩小已经达到了一个极限，在行业没有办法通过二维的结构的缩小来成功的提升密度，且保持成本下降的趋势，所以3D NAND闪存,相当于让二维闪存有了一个全新的发展方向。

但是3D NAND闪存最大的优点是把闪存的密度提升，而且成本上保持继续下降，帮助大家更好的把数据存储利用起来。现在业界主要的闪存80%都是3D NAND。

今年最主要的3D NAND闪存是64层，大家也陆陆续续听到一些消息，关于96层的3D NAND闪存已经出现。

长江存储就是在这个大环境下开始了我们的3D NAND闪存研发的， 2014年开始，通过与中科院的合作，长江存储管理层认准了3D NAND闪存的发展机会，开始了闪存的投资和研发。

今年我们也继续的往更高层次的闪存发展，工厂也在建设当中。这是去年我们成功演示的第一颗闪存的应用。我们也在思考怎么样能够把研发的周期减下来，把最先进的闪存技术推到市场，所以这几个是最近这两年一直在探索的一个关键点。

最后，讲一下长江存储的三个原则，对我们来讲闪存事业和芯片事业最重要的是技术和创新，我们的对手非常强大，他们的成功也就是建立在他们的技术创新上，没有技术创新在这个行业是不可能生存下去的，我们需要长久的持续的投入，而且要有自己可以掌控的自己的技术和知识产权，这是我们的最重要的第一步。

第二，我们的目标是要作为一个可以盈利的行业和盈利的企业，只有盈利我们才有可能持续的去投入我们的技术创新，也才有可能为员工为社会为股东创造利益。

第三，半导体行业是一个全球性的行业，长江存储在闪存的研发上有一些积累，但是我们更需要的是全球各个的伙伴生态链的支持，能够把这个企业和这个行业一起做大做好，为社会提供更多的价值。

(本文根据杨钊文博士 长江存储副总裁在2018年存储半导体峰会主题演讲整理而成，未经过本人审阅!)

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